[发明专利]基于异质结结构的硅量子点太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于异质结结构的硅量子点太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池自下而上包括银铝复合背电极、P型单晶硅基片、氮化硅薄膜层、N型非晶硅层、透明导电膜层和银电极。氮化硅薄膜层中含有直径为1～6nm的硅量子点；透明导电膜层为200～300nm的掺铝氧化锌透明导电薄膜。在制绒的P型晶体硅基片上制备一层含有硅量子点的氮化硅层，再沉积一层N型非晶硅层，接着再沉积一层掺铝氧化锌透明导电膜，最后在正反两面分别加上银电极和含有银铝复合电极的铝背表面场。此电池结构简单，光谱响应范围宽，开路电压高，光生电流大，制备步骤与现有的工艺相兼容。本发明为提高现有的硅基太阳电池转换效率提供了一种很好的解决方法。

主权项

一种基于异质结结构的硅量子点太阳能电池，它自下而上包括银铝复合背电极、P型单晶硅基片和银电极；其特征在于，在自下而上之间自下而上依次设置有氮化硅薄膜层、N型非晶硅层和透明导电膜层，氮化硅薄膜层中含有硅量子点，氮化硅薄层厚度为20～50nm，硅量子点直径在1～6nm之间；N型非晶硅层的厚度为15～25nm；透明导电膜层为掺铝氧化锌透明导电薄膜，厚度为200～300nm。