[发明专利]一种银纳米花薄膜的制备方法无效
申请号: | 201110199411.4 | 申请日: | 2011-07-14 |
公开(公告)号: | CN102330080A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 苏忠民;柴芳;罗顺睿;王春刚;邵奎占;赵亮 | 申请(专利权)人: | 东北师范大学 |
主分类号: | C23C18/44 | 分类号: | C23C18/44;C23C18/18;B82Y40/00;G01N21/65 |
代理公司: | 长春市东师专利事务所 22202 | 代理人: | 刘延军;李荣武 |
地址: | 130024 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明属于金属纳米技术领域,具体涉及一种制备银纳米片状薄膜并进一步组装成花型的银纳米结构薄膜的方法。本发明利用硅片、玻璃片、金属片为基底,使金纳米颗粒在基底表面分布,在金颗粒的催化下,将银离子在金纳米颗粒表面还原,还原得到的银纳米颗粒延缓生长成为片状纳米结构,得到表面为银纳米片的薄膜,银离子在银纳米片上继续被还原,片状的纳米银结构发生组装,形成花状的纳米结构,得到花状纳米结构组状的薄膜。将片状纳米银薄膜和花状纳米银薄膜作为表面增强拉曼活性基底,可用于溶液中的三聚氰胺分子、三硝基甲苯分子(TNT)等多种分子的检测,检测灵敏度高,选择性好,适用性强,范围广。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
具有片状结构、花状结构的纳米银薄膜的制备方法,其特征是:以硅片或玻璃片或金属片作为基片,首先清洗基片,用体积比为3∶7的H2O2与浓硫酸的混合溶液浸泡5 10分钟,再用去离子水清洗3 5次,将清洗后的基片先放入体积比为2%的3 氨丙基三甲氧基硅氧烷APTMS的乙醇溶液中浸泡5 10分钟,取出后用去离子水清洗3 5次,用氮气吹干,然后浸入事先参照参考文献:G.Frens,Nature Physical Science,1973,241,20 23.的方法制备的尺寸为15nm的金纳米颗粒溶液中浸泡5 15分钟,取出基片后,用去离子水洗去未与基片上APTMS作用的金纳米颗粒,得到载有金纳米颗粒的基片,然后,将其浸入硝酸银、对苯二酚的混合溶液中,此时,银离子在基片表面金颗粒的催化作用下,被对苯二酚还原,生成单质银,当反应进行3 5分钟后取出基片,洗去表面未反应的溶液,得到片状纳米银组装成的纳米银薄膜,银纳米片的厚度为15 25nm,长为200 500nm,即片状纳米银薄膜;当反应进行15 30分钟,银纳米片继续生长并有序组装,得到由花型的纳米团结构组成的薄膜,即得到花型纳米银薄膜,其中,花型的结构尺寸在700 1000nm范围内,花瓣中的单层片状为15 25nm,硝酸银、对苯二酚的混合溶液配制为:0.01 0.02克硝酸银,0.3 0.5克对苯二酚,5mL pH为3.5 3.8的柠檬酸缓冲溶液和15mL水混合后配制而成。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
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