[发明专利]聚(3,4-乙撑二氧噻吩)包覆及其为碳源的纳米硅复合锂离子电池负极材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110199707.6 申请日: 2011-07-15
公开(公告)号: CN102299306A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 张灵志;岳鹿;王素清;赵欣悦 申请(专利权)人: 中国科学院广州能源研究所
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38
代理公司: 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 代理人: 莫瑶江
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明利用导电聚合物PEDOT及其水溶液分散剂PSS作为纳米Si粉的包覆层以及碳源,提供一种性能优异的锂离子电池负极新硅复合材料及其制备方法。所述Si/C复合材料由含Si类储锂材料作为主要活性物质,先通过原位聚合反应在Si的表面聚合PEDOT:PSS,然后把制备的Si/PEDOT:PSS复合物在惰性气氛下经由高温碳化处理,制得Si/C复合材料。本发明制备的复合材料有少量S元素掺杂。经过电镜分析,纳米Si颗粒被均匀的镶嵌在PEDOT:PSS聚合物和碳基体中。本发明制备原料便宜,纳米Si在导电聚合物中的包覆在水溶液中进行,工艺简单环保,收率高。制备的Si/C复合材料具有极低的初始不可逆容量损失(2.8%),材料的充放电性能优异,便于工业化生产,在电动汽车等动力电源上有潜在的应用前景。
搜索关键词: 二氧 噻吩 及其 碳源 纳米 复合 锂离子电池 负极 材料 制备 方法
【主权项】:
一种锂离子电池负极用硅碳复合材料,其特征在于所述的硅碳复合材料中活性物质为纳米硅粉,分散介质为导电聚合物聚(3,4 乙撑二氧噻吩)及其高温裂解后的碳。
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