[发明专利]一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪在审
| 申请号： | 201110200246.X | 申请日： | 2011-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102891071A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 王守国;赵玲利;贾少霞;韩传宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B7/00;H05H1/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪，包括两个射频电极、介质阻挡层、三个接地电极和一个射频电源，其特征在于：射频电极和接地电极呈交替阵列排列，形成四个喷口，射频电极由介质阻挡层包裹，工作气体采用氩气和氧气的混合气体，常压下，在射频电极与射频电源连接并且接地电极接地时，在射频电极和接地电极之间击穿氩氧的混合气体，产生辉光等离子体，该喷枪上端接进气口，下端为喷口，四周用金属板密封，电极区产生的高密度等离子体自由基在气流的携带下由喷口向外喷出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 常压 等离子体 自由基 清洗 喷枪 | ||
【主权项】：
一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪，包括两个射频电极、介质阻挡层、三个接地电极和一个射频电源，其特征在于：射频电极和接地电极呈交替阵列排列，形成四个喷口，射频电极由介质阻挡层包裹，工作气体采用氩气和氧气的混合气体，常压下，在射频电极与射频电源连接并且接地电极接地时，在射频电极和接地电极之间击穿氩氧的混合气体，产生辉光等离子体，该喷枪上端接进气口，下端为喷口，四周用金属板密封，电极区产生的高密度等离子体自由基在气流的携带下由喷口向外喷出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
