[发明专利]具有反向快速恢复特性的超结结构半导体器件制造方法

摘要

本发明涉及一种具有反向快速恢复特性的超结结构半导体器件制造方法，其包括如下步骤：a、提供具有第一导电类型的半导体基板；b、在半导体基板内形成超结结构；c、在具有超结结构半导体基板的第一主面上，通过常规半导体工艺，得到半导体器件对应的元件区域和周边区域；d、将上述半导体基板进行电子辐照，利用高能电子对上述半导体器件结构进行轰击；e、将上述经过电子辐照的半导体器件进行高温退火；f、将高温退火后的半导体基板的第二主面进行减薄；g、在上述经过减薄后的半导体基板的第二主面上蒸镀或淀积漏极金属。本发明反向恢复电荷Qrr低，反向恢复时间Trr短，反向恢复峰值电流Irrm小，而且制造工艺简单，成本低廉，适于批量生产。

主权项

一种具有反向快速恢复特性的超结结构半导体器件制造方法，其特征是，所述超结结构半导体器件的制造方法包括如下步骤：（a）、提供具有第一导电类型的半导体基板，所述半导体基板具有对应的第一主面与第二主面，半导体基板的第一主面与第二主面间包括第一导电类型外延层与第一导电类型衬底；（b）、在所述半导体基板的第一导电类型外延层内形成超结结构，所述超结结构包括第一导电类型的第一柱及第二导电类型的第二柱，所述第一导电类型的第一柱与第二导电类型的第二柱在第一导电类型外延层内交替排布；（c）、在上述具有超结结构半导体基板的第一主面上，通过常规半导体工艺，得到半导体器件对应的元件区域和周边区域，所述半导体器件的元件区域包括平面型MOS结构或沟槽型MOS结构；（d）、将上述半导体基板第一主面上已形成MOS结构的半导体基板进行电子辐照，利用高能电子对上述半导体器件结构进行轰击；（e）、将上述经过电子辐照的半导体器件进行高温退火；（f）、将上述高温退火后的半导体基板的第二主面进行减薄；（g）、在上述经过减薄后的半导体基板的第二主面上蒸镀或淀积漏极金属，形成所述半导体器件的漏极电极。