[发明专利]一种提高LED芯片透射率的膜层及其制备方法无效
| 申请号： | 201110200782.X | 申请日： | 2011-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102299230A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 金尚忠;赵学历;曹宇杰;李璇;李亮 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00;B05D3/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高LED芯片透射率的膜层，包含ITO和SiO2两种组成成分，其特征在于：所述的提高LED芯片透射率的膜层采用紫外固化技术镀在LED芯片的表面。公开了制备一种提高LED芯片透射率的膜层的方法，依次包括制备ITO化学前质、SiO2化学前质、合成镀膜溶液、紫外固化技术镀膜处理几个步骤。所述的LED芯片包括所有发紫外光、紫光、蓝光、绿光、黄光、琥珀色光、红光、红外光芯片。本发明制备的膜层具有高透射率、低反射率的优点，成本低廉，可用于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 led 芯片 透射率 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种提高LED芯片透射率的膜层，包含ITO和SiO2两种组成成分，其特征在于：所述的提高LED芯片透射率的膜层采用紫外固化技术镀在LED芯片的表面。
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