[发明专利]基于单壁碳纳米管阵列的柔性压阻流场传感器及制作方法有效
| 申请号： | 201110201164.7 | 申请日： | 2011-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102313818A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 周兆英;杨兴;郑富中;景焱青 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01P5/08 | 分类号： | G01P5/08;G01L9/06;G01B7/30;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种基于单壁碳纳米管阵列的柔性压阻流场传感器及制作方法，该基于单壁碳纳米管阵列的柔性压阻流场传感器包括柔性基底；至少一组微电极对，每一组微电极对包括：间隔地设置在柔性基底上第一微电极和第二微电极；至少一组单壁碳纳米管阵列，每一组单壁碳纳米管阵列的两端分别与对应地一组微电极对的第一微电极和第二微电极相连以使每一组单壁碳纳米管阵列处于拉伸状态，且每一组单壁碳纳米管阵列与柔性基底间隔开。根据本发明的基于单壁碳纳米管阵列的柔性压阻流场传感器具有灵敏度高、尺寸小、柔韧性强以及功耗低的优点。本发明实施例的制作方法设计简单，易于实现，且适用于该传感器的批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 单壁碳 纳米 阵列 柔性 压阻流场 传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于单壁碳纳米管阵列的柔性压阻流场传感器，其特征在于，包括：柔性基底；至少一组微电极对，其中，每一组微电极对包括：第一微电极和第二微电极，所述第一微电极和所述第二微电极间隔地设置在所述柔性基底上；至少一组单壁碳纳米管阵列，其中，一组单壁碳纳米管阵列对应于一组微电极对，每一组单壁碳纳米管阵列的两端分别与对应的一组微电极对的第一微电极和第二微电极相连以使所述每一组单壁碳纳米管阵列处于拉伸状态，且所述每一组单壁碳纳米管阵列与所述柔性基底间隔开。
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