[发明专利]一种具有日光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110201250.8 | 申请日： | 2011-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102263143A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 谭新玉;章晓中;高熙礼;万蔡华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 童晓琳 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于薄膜太阳能电池材料及光电器件材料技术领域的一种具有日光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法。在n型Si基片上依次设有氧化硅层和铁掺杂的碳层，形成具有日光光伏效应的铁掺杂碳/氧化硅/硅(C-Fe/SiO2/Si)异质结薄膜材料。采用激光脉冲沉积法制备。PLD沉积制备的p-n结界面非常平坦，结区原子互扩散通过薄层SiO2得到有效抑制，相对于未加入SiO2薄膜的C-Fe/Si异质结，光伏效应得到明显增强，在室温、100mW/cm2(AM 1.5)的模拟太阳光源照射下，器件的开路光电压达到180mV、短路光电流为7.96mA/cm2。是一种具有潜力的光伏器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 光光 效应 异质结 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有日光光伏效应的异质结薄膜材料，其特征在于：在n型Si基片上依次设有氧化硅层和铁掺杂的碳层，形成具有日光光伏效应的铁掺杂碳/氧化硅/硅异质结薄膜材料，其中，所述铁掺杂的碳层为p型半导体，作为活性层；所述氧化硅层为界面钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
