[发明专利]使用脒基金属的原子层沉积有效
申请号: | 201110201274.3 | 申请日: | 2003-11-14 |
公开(公告)号: | CN102344460A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | R·G·格登;B·S·利姆 | 申请(专利权)人: | 哈佛学院院长等 |
主分类号: | C07F1/08 | 分类号: | C07F1/08;C07F1/10;C07F19/00;C07C257/14 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王贵杰 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 使用脒基金属的原子层沉积。金属薄膜在均匀厚度和优良阶梯覆盖下沉积。铜金属薄膜通过交替量的N,N′-二异丙基乙脒铜(I)和氢气的反应沉积在加热的底材上。钴金属薄膜通过交替量的N,N′-二异丙基乙脒钴(II)和氢气的反应沉积在加热的底材上。这种金属的氮化物和氧化物可分别用氨或水蒸气代替氢气形成。细孔中的薄膜具有非常均匀的厚度和良好的阶梯覆盖。合适的应用包括微电子器件中和磁信息存储器件中磁致电阻的电连接。 | ||
搜索关键词: | 使用 基金 原子 沉积 | ||
【主权项】:
1.一种挥发性化合物,由如下通式的二聚体表示:
或单体单元的低聚物,其中M选自金属铜和银,并且其中R1、R1′、R2和R2′独立地表示烷基、烯基、炔基、三烷基甲硅烷基或氟代烷基,和R3和R3′独立地表示氢、烷基、烯基、炔基、三烷基甲硅烷基或或氟代烷基。
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