[发明专利]半导体集成器件及其制造方法

摘要

一种半导体集成器件及其制造方法，其中半导体集成器件包括：衬底；覆盖所述衬底的介质层；位于所述介质层内的第一开口和第二开口；位于第一区域内有源区表面的金属栅极结构，所述金属栅极结构包括：位于第一开口底部和侧壁的高k栅介质层，位于高k栅介质层表面并填充所述第一开口的金属栅电极；位于第二区域内STI区表面的电容，所述电容包括：位于所述第二区域内STI区表面的所述多晶硅层，位于所述第二开口底部和侧壁的高k电容介质层，位于高k电容介质层表面并填充所述第二开口的金属电容电极。本发明的制造方法工艺步骤简单，本发明的半导体集成器件集成度高。

主权项

一种半导体集成器件制造方法，包括：提供衬底，所述衬底内具有STI区和被STI区隔离的有源区，所述衬底具有第一区域和与第一区域对应的第二区域；其特征在于，还包括：在同一形成工艺中，在所述第一区域的有源区表面形成伪栅结构，在所述第二区域的STI区表面形成多晶硅层；在衬底表面形成与伪栅结构和多晶硅层齐平的介质层；在同一去除工艺中去除所述多晶硅栅极和部分所述多晶硅层，形成第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出所述有源区表面，所述第二开口暴露出所述STI区表面；在同一形成工艺中，形成位于所述第一开口底部和侧壁的高k栅介质层、以及位于所述第二开口的底部和侧壁的高k电容介质层；在同一形成工艺中，在所述高k栅介质层表面形成填充所述第一开口的金属栅电极、以及在所述高k电容介质层表面形成填充第二开口的金属电容电极。