[发明专利]非易失性存储器以及其制作方法有效
| 申请号： | 201110201346.4 | 申请日： | 2011-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102891184B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 黄启政;施秉嘉;王志铭;黄骏松;李祥丞;林志宏;许尧凯 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失式存储器及其制作方法。该非易失性存储器包括基底、两电荷捕捉结构、栅极介电层、栅极以及两掺杂区。两电荷捕捉结构分开地设置在基底上，栅极介电层设置于基底上，且位于两电荷捕捉结构之间。栅极设置于栅极介电层以及电荷捕捉结构上，其中两电荷捕捉结构突出于栅极两侧。两掺杂区则设置于栅极两侧的基底中。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种非易失式存储器，包括：基底；两电荷捕捉结构，分开地设置在该基底上，其中该电荷捕捉结构具有一堆叠结构；栅极介电层，设置于该基底上，且位于该两电荷捕捉结构之间；栅极，设置于该栅极介电层以及该两电荷捕捉结构上，其中该两电荷捕捉结构突出于该栅极的两侧；至少一第一间隙壁，该第一间隙壁设置于该栅极的侧壁以及该两电荷捕捉结构上，且与该两电荷捕捉结构切齐，其中该第一间隙壁与该电荷捕捉结构的该堆叠结构的顶层具有不同材质；以及两掺杂区，设置于该栅极两侧的该基底中。
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