[发明专利]临时半导体结构键合方法和相关的键合半导体结构无效
申请号: | 201110201962.X | 申请日: | 2011-07-19 |
公开(公告)号: | CN102339769A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 玛丽亚姆·萨达卡;约努茨·拉杜 | 申请(专利权)人: | 硅绝缘体技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/768;H01L23/485;H01L23/48 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;张旭东 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及临时半导体结构键合方法和相关的键合半导体结构。制造半导体结构的方法包括以下步骤:将原子组分注入承载裸片或晶片中以在该承载裸片或晶片内形成弱化区域,并将该承载裸片或晶片键合到半导体结构。在利用承载裸片或晶片来操作半导体结构的同时,可以该处理半导体结构。该半导体结构可以键合到另一个半导体结构,并且可以沿承载裸片或晶片中的弱化区域分割承载裸片或晶片。利用这样的方法制造半导体结构。 | ||
搜索关键词: | 临时 半导体 结构 方法 相关 | ||
【主权项】:
一种制造半导体结构的方法,该方法包括以下步骤:在第一基片上形成包括集成电路的至少一部分的第一半导体结构;将离子注入承载晶片中以在所述承载晶片内形成弱化区域;将所述承载晶片直接键合到所述第一半导体结构的第一侧;在将所述承载晶片附接到所述第一半导体结构的同时,利用所述承载晶片操作所述第一半导体结构以处理所述第一半导体结构;将包括集成电路的至少一部分的第二半导体结构直接键合到所述第一半导体结构的第二侧,该第二侧与所述第一半导体结构的被直接键合了所述承载晶片的所述第一侧相反;以及沿所述承载晶片中的所述弱化区域使来自所述承载晶片的材料层与所述承载晶片的其余部分分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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