[发明专利]无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其硫化锌缓冲层薄膜的制备方法无效
申请号: | 201110202078.8 | 申请日: | 2011-07-18 |
公开(公告)号: | CN102270699A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 卢兰兰;刘壮;肖旭东 | 申请(专利权)人: | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C03C17/36 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:步骤一、在衬底上依次形成背电极和铜铟镓硒光吸收层,形成样片;步骤二、将二水合醋酸锌溶解于无水乙醇中,再加入稳定剂,加热形成溶胶;步骤三、将样片浸入所述溶胶中,浸渍时间为5~10秒,然后将样片从所述溶胶中提起;步骤四、将样片在100~200℃下干燥30分钟,使样片表面形成氧化锌薄膜;步骤五、将样片放入硒化室内在硫化氢的气氛下进行退火处理,将氧化锌薄膜转化为硫化锌缓冲层薄膜;及步骤六、在硫化锌缓冲层薄膜上依次形成阻挡层及窗口层。上述制备方法在退火过程中由于温度较高,因此能够提高薄膜的结晶质量。本发明还提供一种硫化锌缓冲层薄膜的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 无镉铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 及其 硫化锌 缓冲 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、在衬底上依次形成背电极和铜铟镓硒光吸收层,形成样片;步骤二、将二水合醋酸锌溶解于无水乙醇中,再加入稳定剂,加热形成溶胶;步骤三、将所述样片浸入所述溶胶中,浸渍时间为5~10秒,然后将所述样片从所述溶胶中提起;步骤四、将所述样片在100~200℃下干燥30分钟,使所述样片表面形成氧化锌薄膜;步骤五、将所述样片放入硒化室内在硫化氢的气氛下进行退火处理,将所述氧化锌薄膜转化为硫化锌缓冲层薄膜;及步骤六、在所述硫化锌缓冲层薄膜上依次形成阻挡层及窗口层,得到所述无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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