[发明专利]一种无模板辅助生长立方相碲化锗纳米线阵列的方法

摘要

本发明提供了一种无模板辅助生长立方相碲化锗(GeTe)纳米线阵列的方法，包括如下步骤：(1)在Si基片上溅射一层Au薄膜；(2)在水平管式炉中部放置蒸发源，将水平管式炉抽至一定真空度后，充入载气使炉管内维持一定的内压；(3)将步骤(1)中制备的溅射有Au薄膜的Si基片放置在水平管式炉下风向处，并对水平管式炉中部进行加热至预定温度；(4)在步骤(3)中，当炉中部管温升至预定温度后，进行一定时间的降温；(5)降温时间结束后，利用机械泵维持一定的真空度，进行自然降温。该方法简单可行，成本低廉，可有效地实现异质结阵列。

主权项

一种无模板辅助生长立方相碲化锗纳米线阵列的方法，包括如下步骤：1)在Si基片上溅射一层Au薄膜；2)在水平管式炉的炉管中部放置蒸发源，将水平管式炉抽真空后，充入载气使炉管内维持内压为1200‑1400Pa；3)将步骤1)中制备的溅射有Au薄膜的Si基片放置在水平管式炉的炉管中蒸发源的下风向处，并对水平管式炉中部的蒸发源进行加热至400～550℃；然后对所述溅射有Au薄膜的Si基片以0.2‑0.6℃/min进行降温，降温时间为30～120min；4)降温时间结束后，继续通载气自然降温。