[发明专利]微晶非晶硅复合型薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110202456.2 | 申请日： | 2011-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102651399A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 田雪雁;龙春平;姚江峰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/04;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜晶体管技术领域，提供了一种微晶非晶硅复合型薄膜晶体管及其制造方法，采用微晶层和非晶硅层复合而成的有源层，大大提高了器件电学性能，克服了现有的技术瓶颈，制备出了性能稳定且漏电流较低的底栅结构微晶非晶硅复合型TFT；同时大大缩短了其生产时间并简化了生产工艺，可有效适用于有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)及低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器(LTPS TFT-LCD)等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 微晶非晶硅 复合型 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种微晶非晶硅复合型薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：基底，以及在所述基底一侧依次形成的栅极、栅绝缘层、有源层的微晶硅部分、有源层的非晶硅部分、n+a‑Si:H层、源漏极和钝化层。
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