[发明专利]分离装置有效
申请号: | 201110202517.5 | 申请日: | 2011-07-19 |
公开(公告)号: | CN102335639A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 石黑裕隆;吉田干 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | B03C5/02 | 分类号: | B03C5/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林;王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种分离装置,其能够高效地将含有硅屑的废液以易于再利用的状态分离为硅屑和水。该分离装置包括:水槽(2),其贮留在水中含有硅屑(5)的废液(4);和硅分离机构(3),其配置于该水槽(2)内,硅分离机构(3)包括:吸附板(8),其配置于水槽(2)内并在废液(4)中吸附硅屑(5);以及网眼状的硅穿过限制板(9A),其与吸附板(8)对置地分离配置,仅容许废液(4)中的水(4A)穿过而限制硅屑(5)的穿过,并且该分离装置设有作为电场形成构件的电压施加电路(10),以便使吸附板(8)为阳极,使硅穿过限制板(9A)为阴极,从而形成电场。 | ||
搜索关键词: | 分离 装置 | ||
【主权项】:
一种将含有硅屑的废液分离为硅屑和不含硅的液体的分离装置,其特征在于,该分离装置包括:贮留所述废液的水槽;和配置于所述水槽中的硅分离机构,所述硅分离机构包括:吸附板,所述吸附板带正电以在所述废液中吸附带负电的所述硅屑;以及硅穿过限制构件,所述硅穿过限制构件包括硅穿过限制板,该硅穿过限制板与所述吸附板对置地配设,并且该硅穿过限制板仅容许所述废液的液体穿过而限制带负电的所述硅屑的穿过,所述硅穿过限制构件包括:壳体,所述壳体分隔出穿过了所述硅穿过限制板的液体所存在的区域;以及运出部,所述运出部配置在该壳体内,将穿过了所述硅穿过限制板的所述废液运出到所述水槽外,并且所述分离装置具有电场形成构件,该电场形成构件使所述吸附板为阳极,使所述硅穿过限制板为阴极,从而在所述吸附板和所述硅穿过限制板之间形成电场。
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