[发明专利]一种制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法有效
| 申请号： | 201110202610.6 | 申请日： | 2011-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102260906A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;尚飞;沈波 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/46;C30B29/62 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法，包括如下步骤：(1)在Si基片上溅射一层Au薄膜；(2)在水平管式炉中部放置蒸发源，将水平管式炉抽至一定真空度后，充入载气使炉管内维持一定的内压；(3)将步骤(1)中制备的溅射有Au薄膜的Si基片放置在水平管式炉下风向处，并对水平管式炉中部进行加热至预定温度；(4)在步骤(3)中，当炉中部管温升至预定温度后，进行一定时间的保温；(5)保温时间结束后，停载气，利用机械泵维持一定的真空度，进行自然降温。本发明利用气相沉积的方法在特定的工艺下，可稳定的获得Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 ge gete 纳米 同轴 异质结 方法 | ||
【主权项】：
一种制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法，包括如下步骤：1)在Si基片上溅射一层Au薄膜；2)在水平管式炉的炉管中部放置蒸发源GeTe合金粉，将水平管式炉抽真空后，充入载气使炉管内维持内压为650～1100Pa；3)将步骤1)中制备的溅射有Au薄膜的Si基片放置在水平管式炉的炉管中蒸发源的下风向处，并对水平管式炉中部的蒸发源进行加热至495‑505℃，保温；4)保温结束后，停载气并维持炉管内压为110～130Pa，进行自然降温。
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