[发明专利]具有金属栅极的半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201110202802.7 | 申请日： | 2011-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102891085A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 徐俊伟;黄柏诚;蔡腾群;许嘉麟;林志勋;陈彦铭;陈佳禧;龚昌鸿 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有金属栅极的半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括具有多个浅沟隔离的基底、至少一设置于该基底上的金属栅极、以及至少一对设置于该金属栅极两侧的辅助结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 栅极 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有金属栅极的半导体元件的制作方法，包括：提供基底，该基底内形成有多个浅沟隔离，该基底上形成有多晶硅层；图案化该多晶硅层，以于该基底上形成至少一虚置栅极以及至少一对辅助结构，该多个辅助结构分别设置于该虚置栅极的两侧，且分别设置于该多个浅沟隔离上；于该基底上形成至少一个半导体元件，且该半导体元件包括该虚置栅极；于该基底上形成介电层结构；以及移除部分该介电层结构以暴露出该半导体元件的该虚置栅极与该多个辅助结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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