[发明专利]一种太阳能电池用CuInSe2薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110203351.9 申请日: 2011-07-20
公开(公告)号: CN102270700A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 陈桂林;朱长飞;刘伟丰;江国顺 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明
地址: 230026*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种太阳能电池用CuInSe2薄膜的制备方法,包括以下步骤:将所述前体溶液与碱溶液混合,控制pH值为8~10,反应后得到混合胶体;将所述混合胶体与黏合剂在有机溶剂中混合,得到前驱体浆料;将所述前驱体浆料进行成膜处理和退火处理,得到预制薄膜;将所述预制薄膜与硒进行硒化反应,得到CuInSe2薄膜。本发明采用共沉淀法将含有铜源化合物和铟源化合物的前体溶液与碱溶液进行共沉淀反应,使铜元素与铟元素进行分子水平的混合,有利于制备成分均匀的CuInSe2薄膜,避免了采用球磨法带来的成分不均匀等问题。并且,由于预制薄膜在与硒进行硒化反应时会产生体积膨胀,得到的CuInSe2薄膜的致密性较好。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 cuinse sub 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种太阳能电池用CuInSe2薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供含有铜源化合物和铟源化合物的前体溶液;将所述前体溶液与碱溶液混合,控制pH值为8~10,反应后得到混合胶体;将所述混合胶体与黏合剂在有机溶剂中混合,得到前驱体浆料;将所述前驱体浆料进行成膜处理、干燥处理和退火处理,得到预制薄膜;将所述预制薄膜与硒进行硒化反应,得到CuInSe2薄膜。
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