[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110203389.6 | 申请日： | 2011-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102891179A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 梁擎擎;朱慧珑;钟汇才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 初媛媛;刘鹏 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件以及半导体器件的制造方法。根据本发明实施例的半导体器件可以包括：鳍有源区，该鳍有源区设置在绝缘层上；设置在鳍有源区顶部的阈值电压调节层，该阈值电压调节层用于调节所述半导体器件的阈值电压；栅极叠层，该栅极叠层设置在阈值电压调节层上、鳍有源区的侧壁上以及绝缘层上并且包括栅极电介质和形成在栅极电介质上的栅电极；以及，分别形成在栅极叠层两侧、鳍有源区中的源区和漏区。根据本发明的半导体器件包括阈值电压调节层，其可以对半导体器件的阈值电压进行调节。这提供了一种能够调节包括鳍有源区的半导体器件的阈值电压的简便的方式。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：鳍有源区，所述鳍有源区设置在绝缘层上；设置在所述鳍有源区顶部的阈值电压调节层，所述阈值电压调节层用于调节所述半导体器件的阈值电压；栅极叠层，所述栅极叠层设置在所述阈值电压调节层上、所述鳍有源区的侧壁上以及所述绝缘层上并且包括栅极电介质和形成在所述栅极电介质上的栅电极；以及分别形成在所述栅极叠层两侧、所述鳍有源区中的源区和漏区。
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