[发明专利]一种提纯硅的方法无效
| 申请号： | 201110203661.0 | 申请日： | 2010-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102351197A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 姜学昭 | 申请（专利权）人： | 姜学昭 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 吴小灿 |
| 地址： | 100190 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提纯硅的方法，该方法步骤为：将由高纯铝和待提纯硅制备的铝硅合金和待提纯硅紧密接触地置于封闭环境后在真空条件下加热，铝硅合金锭熔化形成铝硅熔体；当铝硅熔体和待提纯硅的界面处和自由端的温度分别达到900℃和800℃时保持恒温，使左端界面处析出提纯硅；当提纯硅开始析出后，与析出硅的生长速度同步向待提纯硅的方向移动加热装置，以保持铝硅熔体两端的温度；当待提纯硅溶解完毕时，降温、恢复气压后切下析出的提纯硅。经过本发明的提纯过程，可同时有效去除4N或5N级硅中的硼、磷及其他杂质，使硅的纯度得到进一步的提高，更稳定地满足太阳能电池对高纯硅的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提纯 方法 | ||
【主权项】：
从待提纯硅中除掉杂质的方法，其特征在于，利用铝硅熔体中硅与杂质的析出温度差使得硼、磷和其它杂质一起被富集到最后冷凝部分被除掉。
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