[发明专利]一种用于大规模快闪存储器的灵敏放大器

摘要

本发明涉及一种用于大规模快闪存储器的灵敏放大器。所述用于大规模快闪存储器的灵敏放大器包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP8、PMOS管MP9、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6、NMOS管MN7、NMOS管MN8、NMOS管MN9和旁路电容C。本发明具有读出速度快，可靠性高的特点，尤其在高密度，大规模的快闪存储器系统中优势更为明显，有效改善了高密度大规模存储器预充速度慢，多单元读取感应速度慢等现状。

主权项

一种用于大规模快闪存储器的灵敏放大器，其特征在于，包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP8、PMOS管MP9、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6、NMOS管MN7、NMOS管MN8、NMOS管MN9和旁路电容C；所述PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP8和PMOS管MP9的衬底接电源电压；所述NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6、NMOS管MN7、NMOS管MN8和NMOS管MN9的衬底接地；所述PMOS管MP1的源端接电源电压，栅端接预充使能信号PREC_A，漏端同时接到NMOS管MN2的漏端和NMOS管MN3的源端，组成第一条预充支路；所述PMOS管MP2和PMOS管MP3组成第二条预充支路，所述PMOS管MP2的源端和衬底同时接电源电压，漏端接到PMOS管MP3的源端，栅端接到PMOS管MP3的漏端，所述PMOS管MP3的栅端接预充使能信号PREC_B，漏端接到NMOS管MN3的漏端；所述NMOS管MN3的栅端接到PMOS管MP4和NMOS管MN4组成的钳位反相器的输出端，源端接到PMOS管MP4和NMOS管MN4组成的钳位反相器的输入端，同时接到NMOS管MN1和NMOS管MN2的漏端；所述NMOS管MN1的栅端接放电信号DISC，在无操作时对灵敏放大器电路进行放电；所述NMOS管MN2的栅端接选通信号BANK，使得灵敏放大器与存储数据通道隔离开，所述NMOS管MN2的源端接到存储数据通道输入DATA；所述PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7和PMOS管MP8组成电流镜像模块；所述PMOS管MP5和PMOS管MP7栅端连接在一起并外接使能信号EN_SA，所述PMOS管MP5的漏端分别连到PMOS管MP6的源端，所述PMOS管MP7的漏端连到MP8的源端，所述PMOS管MP6和PMOS管MP8的栅端连接在一起并接到PMOS管MP6的漏端，从而将读取到的数据通道电流镜像到PMOS管MP6和PMOS管MP8支路上；所述PMOS管MP8的漏端连接到由PMOS管MP9和PMOS管MN5组成的感应输出反相器的输入端，感应输出反相器的输出端为灵敏放大器的输出端，同时PMOS管MP8的漏端连接到NMOS管MN6的漏端；所述NMOS管MN6、NMOS管MN7、NMOS管MN8和NMOS管MN9组成参考电流输入端的电流镜像模块；所述NMOS管MN8的漏端外接输入参考电流Iref，同时连接到NMOS管MN6和NMOS管MN8的栅端，所述NMOS管MN8的源端连接到NMOS管MN9的漏端和栅端，同时连接到旁路电容C的一端，所述旁路电容C的另一端接地；所述NMOS管MN7和NMOS管MN9的栅端连接到一起，所述NMOS管MN7的漏端连接到NMOS管MN6的源端。