[发明专利]大规模CIGS基薄膜光伏材料的钠溅射掺杂方法

摘要

本发明公开了一种对薄膜光伏材料进行钠掺杂的方法，包括在衬底上形成金属电极。本发明还公开了一种用于形成光伏材料的结构。在该方法中，利用包含4-12wt％的Na2SeO3和88-96wt％的铜-镓物质的第一靶材器件的溅射沉积用于形成具有第一Cu/Ga组成比的第一前体。在第一前体上方的第二前体包括使用第二靶材器件沉积的铜物质和镓物质，其中第二Cu/Ga组成比基本上等于第一Cu/Ga组成比。包含铟材料的第三前体覆盖第二前体。前体层经受至少利用硒物质的热反应，以便形成包含钠物质和铜与铟-镓原子比约为0.9的吸收剂材料。

主权项

一种对薄膜光伏材料进行钠掺杂的方法，所述方法包括：提供至少一个具有表面的衬底和覆盖所述表面的氧化物材料；在所述氧化物材料上方形成金属电极材料；至少使用包含4‑12wt％的Na2SeO3化合物物质和88‑96wt％铜‑镓物质的第一靶材器件实施溅射沉积过程，以形成第一前体材料，所述铜‑镓物质的特征在于第一Cu‑Ga组成比；形成覆盖所述第一前体材料的第二前体材料，所述第二前体材料包含使用第二靶材器件沉积的铜物质和镓物质，所述第二靶材器件具有基本上等于所述第一Cu‑Ga组成比的第二Cu‑Ga组成比；形成第三前体材料，所述第三前体材料包含覆盖所述第二前体材料的铟材料；以及至少利用气态硒物质，将至少所述第一前体材料、所述第二前体材料、和所述第三前体材料经受至少一种热反应处理，以导致形成吸收剂材料，所述吸收剂材料包含钠物质且铜与铟‑镓原子比为约0.9。