[发明专利]具有改良的光电二极管区域分配的CMOS图像传感器有效
申请号: | 201110206456.X | 申请日: | 2011-07-15 |
公开(公告)号: | CN102339839A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | D·毛;戴幸志;V·韦内齐亚;钱胤;H·E·罗兹 | 申请(专利权)人: | 美商豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N9/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 毛力 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种装置的实施例包括像素阵列,该像素阵列包括多个个宏像素。每个宏像素包括:一对第一像素,其各自包括用于第一色彩的滤色器,该第一色彩为像素最敏感的色彩;第二像素,其包括用于第二色彩的滤色器,该第二色彩为像素最不敏感的色彩;及第三像素,其包括用于第三色彩的滤色器,像素对该第三色彩的敏感性介于最不敏感与最敏感之间,其中第一像素所占据的宏像素的光收集区域的比例大于该第二像素或该第三像素所占据的比例。揭示并要求保护相应的过程和系统实施例。 | ||
搜索关键词: | 具有 改良 光电二极管 区域 分配 cmos 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种装置,包括:像素阵列,所述像素阵列包括形成在衬底上的多个宏像素,每个宏像素包括:一对第一像素,各自包括用于第一色彩的滤色器,所述第一色彩为像素最敏感的色彩,第二像素,包括用于第二色彩的滤色器,所述第二色彩为像素最不敏感的色彩,以及第三像素,包括用于第三色彩的滤色器,像素对所述第三色彩的敏感度介于最不敏感与最敏感之间,其中所述第一像素所占据的所述宏像素的光收集区域的比例均大于所述第二像素或所述第三像素所占据的比例。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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