[发明专利]对HfO2薄膜的高选择性干法刻蚀方法无效
| 申请号： | 201110206462.5 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102427036A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 杨渝书;陈玉文;邱慈云 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对HfO2薄膜的高选择性干法刻蚀方法，其中，步骤a：在一刻蚀设备内通过BCl3气体和含H元素的气体组成的混合气体对衬底上的HfO2薄膜进行主体刻蚀；步骤b：在所述刻蚀设备内通过BCl3气体和O2气体组成的混合气体对衬底进行过刻蚀。本发明对HfO2薄膜的高选择性干法刻蚀方法解决了现有技术中对于高介电常数材料HfO2选择比较低导致刻蚀终点设定不够精确的问题，采用BCl3气体对HfO2薄膜进行干法刻蚀，具有良好的刻蚀效果，且BCl3气体对硅衬底具有较高的选择比，易于对刻蚀器件的形貌及刻蚀速率进行控制，以提高刻蚀终点的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | hfo sub 薄膜 选择性 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种对HfO2薄膜的高选择性干法刻蚀方法，其特征在于， 步骤a：在一刻蚀设备内通过BCl3气体和含H元素的气体组成的混合气体对衬底上的HfO2薄膜进行主体刻蚀； 步骤b：在所述刻蚀设备内通过BCl3气体和O2气体组成的混合气体对衬底进行过刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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