[发明专利]紫外探测器的像素结构、紫外探测器系统及其制造方法在审
| 申请号： | 201110206933.2 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102891150A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/0376;H01L31/101 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种紫外探测器的单位像素结构，包括紫外探测器和与紫外探测器连接的读出电路，所述读出电路由一个或多个TFT器件组成，所述读出电路的TFT器件的第一有源层以及所述紫外探测器的光电探测层为非晶态氧化物半导体。由于读出电路的器件的有源层以及紫外探测器的光电探测层都为非晶态氧化物半导体，利用非晶态氧化物半导体的高迁移率和优秀的紫外光电响应特性，可以将紫外探测器和读出电路集成在同一个任意平板的衬底上，更为简单高效并且成本低，更加适用于大面积的紫外探测器阵列的像素结构。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 探测器 像素 结构 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种紫外探测器的单位像素结构，包括紫外探测器和与紫外探测器连接的读出电路，其特征在于，所述读出电路由一个或多个TFT器件组成，所述读出电路的TFT器件的第一有源层以及所述紫外探测器的光电探测层为非晶态氧化物半导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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