[发明专利]通过焦耳效应热活化的选择性官能化无效

专利信息
申请号: 201110208101.4 申请日: 2011-07-19
公开(公告)号: CN102376891A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 亚历山大·卡雷拉;让-皮埃尔·西莫纳托 申请(专利权)人: 原子能与替代能源委员会
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;G01N27/26
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 顾晋伟;李翔
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及一种通过将受体分子(R)共价接枝至导电材料或半导体材料(M)的表面而使所述导电材料或半导体材料(M)官能化的方法,所述方法包括如下步骤:(i)跨位于材料(M)的任一侧上的源极和漏极的末端施加足够的电势差以使所述材料(M)针对分子(R)的接枝反应热活化;以及(ii)使由此活化的材料(M)与含有受体分子(R)的液体或气体介质接触,由此获得由共价接枝的受体分子(R)官能化的材料(M)。
搜索关键词: 通过 焦耳 效应 活化 选择性 官能
【主权项】:
一种通过将受体分子(R)共价接枝至导电材料或半导体材料(M)的表面而使所述导电材料或半导体材料(M)官能化的方法,所述方法包括如下步骤:i)跨位于所述材料(M)的任一侧上的源极和漏极的末端施加足够的电势差以使所述材料(M)针对所述分子(R)的接枝反应热活化;以及ii)使由此活化的所述材料(M)与含有受体分子(R)的液体或气体介质接触,由此获得由共价接枝的受体分子(R)官能化的材料(M)。
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