[发明专利]金属重分布层的制造方法

摘要

一种金属重分布层的制造方法，包括：提供具有介电层形成于其上的半导体结构；在介电层内的第一区与第二区内分别形成第一开口与第二开口；在第一区内由第一开口所露出的介电层内形成多个第三开口，以及在第二区内由第二开口所露出的介电层内形成多个第四开口；在介电层之上以及在第一开口、第二开口、多个第三开口与多个第四开口内形成金属材料，其中覆盖多个第三开口与多个第四开口的金属材料内形成有多个凹口；以及采用形成于覆盖多个第四开口的金属材料内的多个凹口做为对准标记来图案化第一区内的金属材料，进而形成位于第一区内的介电层之上以及位于第一开口与多个第三开口内的金属重分布层。

主权项

一种金属重分布层的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构上形成有介电层；在所述介电层内的第一区与第二区内分别形成第一开口与第二开口，其中所述第二区位于所述第一区的外侧；在所述第一区内由所述第一开口所露出的所述介电层内形成多个第三开口，以及在所述第二区内由所述第二开口所露出的所述介电层内形成多个第四开口；在所述介电层之上以及在所述第一开口、所述第二开口、所述多个第三开口与所述多个第四开口之内形成金属材料，其中所述金属材料填满所述多个第三开口与所述多个第四开口，并大体地填入所述第一开口与所述第二开口内，而覆盖所述多个第三开口与所述多个第四开口的所述金属材料内形成有多个凹口；以及将形成于覆盖所述多个第四开口的所述金属材料内的所述多个凹口用作对准标记来图案化所述第一区内的所述金属材料，进而形成位于所述第一区内的所述介电层之上以及位于所述第一开口与所述多个第三开口内的金属重分布层。