[发明专利]一种制造薄膜晶体管的方法

摘要

本发明提供了一种制造薄膜晶体管的方法，包括下列步骤：形成一栅极于一基板上；形成栅绝缘层于栅极上；连续沉积一半导体膜与一保护膜于栅绝缘层上；形成一光阻图案于保护膜上；以光阻图案为罩幕，蚀刻保护膜与半导体膜以在栅极上方形成通道区；灰化处理光阻图案以缩减光阻图案并暴露出部分保护膜；蚀刻以移除暴露出部分保护膜并暴露出位于下方的通道区；形成源极和漏极于栅绝缘层与通道区之上，并分别与通道区的两端电性连接；移除所述保护膜外侧暴露的通道区部分。采用本发明可以通过灰化处理，利用光阻进行重蚀刻，减少掩膜使用的数量，以简化制程并节约成本。

主权项

一种制造薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括下列步骤：形成一栅极于一基板上；形成栅绝缘层于所述栅极上；连续沉积一半导体膜与一保护膜于所述栅绝缘层上；形成一光阻图案于所述保护膜上；以所述光阻图案为罩幕，蚀刻所述保护膜与所述半导体膜以在所述栅极上方形成通道区；灰化处理所述光阻图案以缩减所述光阻图案并暴露出部分所述保护膜；蚀刻以移除暴露出部分所述保护膜并暴露出位于下方的所述通道区；形成源极和漏极于所述栅绝缘层与所述通道区之上，并分别与所述通道区的两端电性连接；以及移除所述保护膜外侧暴露的所述通道区部分。