[发明专利]固态浸没透镜微影术有效

专利信息
申请号: 201110208343.3 申请日: 2005-06-23
公开(公告)号: CN102279531A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: R·R·戈鲁甘苏;M·R·布鲁斯 申请(专利权)人: 格罗方德半导体公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 英国开*** 国省代码: 英国;GB
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种固态浸没透镜微影术。于一实施态样中,提供一种包含具有第一面和第二面之抗蚀膜的装置,其中,该第二面为第一面的相对面。将一个或多个固态浸没透镜设置于该抗蚀膜的第一面之上。于另一实施态样中,提供一种制造方法,包括形成抗蚀膜以及利用穿透过一个或多个固态浸没透镜的辐射使该抗蚀膜曝光。
搜索关键词: 固态 浸没 透镜 微影术
【主权项】:
一种装置,包括:电磁辐射源(44);以及使电磁辐射的选择部分穿过的掩膜(72),该掩膜(72)包括可以穿透电磁辐射的板(78),该板(78)包含一个或多个固态浸没透镜(74,75,76)以及位于该板(78)上的不透光薄膜(80),该一个或多个固态浸没透镜(74,75,76)具有布置在集成电路中的晶体管结构和互联机路所欲的形状,该不透光薄膜(80)可以允许电磁辐穿透过该一个或多个固态浸没透镜(74,75,76),但防止电磁辐射穿透过至少一部分板(80)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司,未经格罗方德半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110208343.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top