[发明专利]功率装置的耐压终止结构有效
| 申请号： | 201110209154.8 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102751327A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;詹景晴;石逸群 | 申请（专利权）人： | 茂达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率装置的耐压终端结构，包含有一第一导电型基底、一第一导电型外延层，设置在第一导电型基底上、一沟槽，位在第一导电型外延层中、一第一绝缘层，位在沟槽中、一第一导电层，位在沟槽中，且叠设在第一绝缘层上、和一第二导电型基体掺杂区，位在沟槽旁的第一导电型外延层中，而且和第一导电层直接接触。其中第一导电层与第一绝缘层直接接触，并且第一导电层的表面与第一导电型外延层的表面切齐。第一导电层包含有多晶硅、钛、氮化钛或铝等导电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 装置 耐压 终止 结构 | ||
【主权项】：
一种功率装置的耐压终端结构，其特征在于包含有：一第一导电型基底；一第一导电型外延层，设置于所述的第一导电型基底上；一沟槽，位于所述的第一导电型外延层中；一第一绝缘层，位于所述的沟槽中；一第一导电层，位于所述的沟槽中，且叠置于所述的第一绝缘层上；以及一第二导电型基体掺杂区，位于所述的沟槽旁的所述的第一导电型外延层中，而且与所述的第一导电层直接接触。
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