[发明专利]一种提高可控硅电源功率因数的主电路

摘要

一种提高可控硅电源功率因数的主电路，涉及大功率可控硅电源及其变压器的技术领域，特点是变压器有至少两组次级绕组，每组次级绕组与一个三相全波整流桥和一个电感器、一个电容器、一个电子开关和一个导流二极管构成一个基本低压电源，基本低压电源中的导流二极管反向连接在该基本低压电源的输出正端子和输出负端子上。当电源实现连续可调时，变压器初级的可控硅能始终保持较大的导通角，一般在120度左右，这样能始终保持电网的较高功率因数，而保持较低的谐波电流的峰值，保持较小的对电网的污染。

主权项

一种提高可控硅电源功率因数的主电路，包括连接在三相工频电压上的三对可控硅和三组变压器初级绕组；其特征在于所述变压器设有至少两组次级绕组；每组次级绕组与一个三相全波整流桥和一个电感器、一个电容器、一个电子开关和一个导流二极管构成一个基本低压电源，每个基本低压电源中的次级绕组所连接的三相全波整流桥的输出正极与电感器串联后分别与电容器的正极和电子开关的一端相连接，电子开关的另一端连接在该基本低压电源输出正端子上，次级绕组的三相全波整流桥的输出负极和所述电容器的负极分别连接在该基本低压电源输出负端子上，在该基本低压电源中的导流二极管反向连接在该基本低压电源的输出正端子和输出负端子上。