[发明专利]底部电极和相变电阻的形成方法

摘要

一种底部电极和相变电阻的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成具有底部电极的第一介质层，底部电极的表面与第一介质层的表面相平；在底部电极上形成具有开口的掩膜层，开口暴露底部电极；在开口内形成嵌段共聚物，对嵌段共聚物进行退火将嵌段共聚物分成间隔排列的不同材料；去除间隔排列的不同材料中至少一种材料，以掩膜层和剩余的材料为掩膜刻蚀去除部分高度的底部电极，在底部电极和第一介质层之间形成凹槽；去除剩余的材料和掩膜层；在凹槽内形成第二介质层，第二介质层的表面与第一介质层的表面相平；在剩余的底部电极上形成相变电阻。本技术方案工艺简单、容易控制。

主权项

一种底部电极和相变电阻的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成具有底部电极的第一介质层，所述底部电极的表面与所述第一介质层的表面相平；在所述底部电极上形成具有开口的掩膜层，所述开口暴露所述底部电极；在所述开口内形成嵌段共聚物，对所述嵌段共聚物进行退火将所述嵌段共聚物分成间隔排列的不同材料；去除间隔排列的不同材料中至少一种材料，以所述掩膜层和剩余的材料为掩膜刻蚀去除部分高度的底部电极，在所述底部电极和所述第一介质层之间形成凹槽；去除剩余的材料和掩膜层；在所述凹槽内形成第二介质层，所述第二介质层的表面与所述第一介质层的表面相平；在剩余的底部电极上形成相变电阻。