[发明专利]常关型场效应晶体管及其制造方法和编程功率场效应晶体管的方法在审
| 申请号： | 201110210070.6 | 申请日： | 2011-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102347372A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | A.莫德;H.施特拉克;W.沃纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;李家麟 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及常关型场效应晶体管及其制造方法和编程功率场效应晶体管的方法。提供的一种常关型功率场效应晶体管半导体结构包括沟道、源电极、栅电极和俘获电荷，俘获电荷被布置在栅电极与沟道之间使得当源电极和栅电极处于相同电势时沟道处于关态。另外，提供了一种用于形成半导体器件的方法和用于对功率场效应晶体管编程的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 常关型 场效应 晶体管 及其 制造 方法 编程 功率 | ||
【主权项】：
一种常关型晶体管，包括半导体本体，所述半导体本体包括：第一导电类型的本体区，包括第一掺杂浓度；第二导电类型的沟道区，与所述本体区一起形成pn结；绝缘栅电极结构，包括栅电极和布置在所述栅电极与所述沟道区之间的俘获电荷的层，所述栅电极相对于所述沟道区绝缘；以及其中，所述俘获电荷的电荷类型等同于所述沟道区的多数电荷载流子的电荷类型，并且所述俘获电荷的每面积的载流子密度等于或大于通过沿着在所述本体区与所述栅电极结构之间的沟道区中的线积分所述第一掺杂浓度而获得的载流子密度。
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