[发明专利]借助非易失性存储器的循环的开始编程电压偏移有效
申请号: | 201110210786.6 | 申请日: | 2006-05-26 |
公开(公告)号: | CN102385924A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 杰弗里·W·卢策 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明揭示一种用于对非易失性存储设备进行编程的系统,其用于通过将开始编程电压设置为用于新生零件的第一电平,且在存储器被循环时调整所述开始编程电压,来改进性能。举例来说,所述系统在第一周期期间,使用具有第一初始值的增加编程信号来对一组非易失性存储元件进行编程,且随后在第二周期期间,使用具有第二初始值的增加编程信号来对所述组非易失性存储元件进行编程,其中所述第二周期在所述第一周期之后,且所述第二初始值与所述第一初始值不同。 | ||
搜索关键词: | 借助 非易失性存储器 循环 开始 编程 电压 偏移 | ||
【主权项】:
一种用于操作非易失性存储设备的方法,其包括:在第一周期期间,使用具有第一初始值的增加编程信号对一组非易失性存储元件进行编程;在第二周期期间,使用具有第二初始值的增加编程信号对所述一组非易失性存储元件进行编程,所述第二周期在所述第一周期之后,所述第二初始值与所述第一初始值不同;从所述一组非易失性存储元件读取数据;确定所述数据中存在错误;以及确定所述错误是否满足阈值等级,如果所述错误满足所述阈值,那么所述第一周期结束,且所述第二周期开始。
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