[发明专利]化合物薄膜太阳能电池非真空制备工艺及退火方式

摘要

本发明涉及太阳能电池领域，具体涉及一种化合物薄膜太阳能电池制备技术。选择元素单质或由这些元素组成的二元化合物作为原材料。通过机械化学方法研磨下产生化学反应生成目标化合物粉末，采用合适的分散试剂将这些目标化合物粉末制备成印刷浆。印刷得到的薄膜质量经过有效的退火处理获得高转换效率的太阳能电池。本发明的化合物薄膜太阳能电池非真空制备，具有生产成本低、生产周期短和生产效率高的特点。同时提出了一种简单、高效的退火方式以改善非真空沉淀得到的薄膜。具有生产成本低、生产周期短和生产效率高的特点。

主权项

化合物薄膜太阳能电池非真空制备工艺，其特征在于，包括以下步骤，1)吸收层沉淀用CuInSe2目标化合物粉末的制备；2)印刷用CuInSe2浆的制备；3)FTO玻璃基底的准备；4)TiO2致密层的制备；5)In2S3缓冲层的制备；6)印刷法沉淀CISe吸收层；7)印刷得到的样品经退火处理去除有机分散试剂改善结晶度8)真空溅射法制备Mo电极层，获得太阳能电池。