[发明专利]一种能消除应力的发光二极管结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201110211373.X | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102903812A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 吴东海;李志翔;蔡炯棋 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种能消除应力的发光二极管结构及其制作方法，涉及光电技术领域。本发明结构包括蓝宝石衬底和置于蓝宝石衬底上的外延层。其结构特点是，所述蓝宝石衬底内部形成有纵横交错的切割划痕。同现有技术相比，本发明能减小GaN基LED材料外延生长过程中产生的应力，提高GaN基LED外延材料的均匀性和GaN基LED芯片的产出良率，有利于外延衬底尺寸的进一步扩大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 应力 发光二极管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种能消除应力的发光二极管结构，它包括蓝宝石衬底(21)和置于蓝宝石衬底(21)上的外延层(22)，其特征在于，所述蓝宝石衬底(21)内部形成有纵横交错的切割划痕(23)。
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