[发明专利]单层电容器晶界层材料、基片的制作方法、以及单层电容器的方法有效
| 申请号： | 201110211472.8 | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102320827A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 吴浩;杨成锐 | 申请（专利权）人： | 吴浩 |
| 主分类号： | C04B35/47 | 分类号： | C04B35/47;C04B35/622;H01G4/00;H01G4/10 |
| 代理公司： | 广东国晖律师事务所 44266 | 代理人： | 陈琳 |
| 地址： | 518020 广东省广州市经济*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单层电容器晶界层材料，该材料配方的重量比为：TiO260-65％；SrCO333-39％；La2O30.2-2.5％，本发明还提供一种单层电容器用基片的制作方法，包括将所述的材料按重量百分比配好料，加入去离子水进行混合，然后烘干，粉碎；将粉碎好的材料进行煅烧，然后粉碎过筛；将上述过筛后的材料加入添加剂，该添加剂占总重量的0.1-1.5％，混合10-20小时后进行流延成膜；将上述的膜片在排胶；然后在氢氮混合气中还原2-3小时；最后在烧结片上涂覆氧化剂，在空气气氛中氧化20-180分钟，得到烧结后的单层电容器用基片；采用该种晶界层材料制作单层电容器基片，再用该基片制作单层电容器，所制得的电容器具有介电常数高，温度特必优良，以及绝缘电阻性能好等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 电容器 晶界层 材料 制作方法 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种单层电容器晶界层材料，其特征在于：该材料配方的重量比为：TiO2 60‑65％SrCO3 33‑39％La2O3 0.2‑2.5％。
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