[发明专利]散热器装置和维修半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201110211985.9 | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102347241A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 山本刚;中村直章;高田理映;坪根健一郎;黑田康秀;八木晴见 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/40;H05K7/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及散热器装置和维修半导体器件的方法。这种维修半导体器件的方法包括转动挤压组件以在安装于基板上的电子部件上施加压力。经由结合层而设置在电子部件上的散热器由此相对于电子部件在横向上移动。通过利用挤压组件来剪切结合层而将散热器从电子部件上移除。 | ||
| 搜索关键词： | 散热器 装置 维修 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种维修半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：转动挤压组件以在安装于基板上的电子部件上施加压力；使散热器相对于所述电子部件在横向上移动，所述散热器隔着结合层设置在所述电子部件上；以及通过用所述挤压组件剪切所述结合层而将所述散热器从所述电子部件上移除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
