[发明专利]采用纳米粒子提高AlGaN基探测器性能的方法

摘要

采用纳米粒子提高AlGaN基探测器性能的方法，涉及半导体技术领域，它解决了现有制备AlGaN探测器的方法无法实现AlGaN基材料中存在高密度的位错的问题，本发明方法为：在常规衬底上生长AlGaN基材料；然后在所述的AlGaN基材料表面制备纳米粒子；采用光刻技术在纳米粒子上制备光刻胶掩膜图形；采用真空蒸发方法在光刻胶掩膜图形上制备金属电极；采用Lift Off技术溶解四所述的光刻胶，电极退火，获得高性能的AlGaN基探测器。本发明所述方法为提高AlGaN探测器效率提供了有效途径。本发明工艺简单，成本低廉。

主权项

采用纳米粒子提高AlGaN基探测器性能的方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：步骤一、在常规衬底上生长AlGaN基材料；步骤二、在步骤一所述的AlGaN基材料表面制备纳米粒子；步骤三、采用光刻技术在步骤二所述的纳米粒子上制备光刻胶掩膜图形；步骤四、采用真空蒸发方法在步骤三所述的光刻胶掩膜图形上制备金属电极；步骤五、采用Lift Off方法溶解步骤四所述的光刻胶，电极退火，获得高性能的AlGaN基探测器。