[发明专利]用于制造含设置有过滤器的掩埋区域的微机械结构的方法有效
申请号: | 201110212573.7 | 申请日: | 2011-07-26 |
公开(公告)号: | CN102344111A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | M·费雷拉;M·佩尔勒蒂;I·瓦里斯科;L·扎诺蒂 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B7/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 意大利;IT |
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摘要: | 本发明的实施方式公开用于制造含有设置有过滤器的掩埋区域的微机械结构的方法。一种用于制造微机械结构(25)的方法构思了:在半导体材料的本体(1,12)内形成掩埋空腔(10),该掩埋空腔通过第一表面层(12)而与所述本体的顶表面(12a)隔开;以及在掩埋空腔(10)与外部环境之间形成用于流体连通的进出管道(18a)。该方法构思了:在第一进出区域(17a)处的顶表面(12a)上形成刻蚀掩模(14);在顶表面(12a)上以及在刻蚀掩模(14)上形成第二表面层(15);在对应于第一进出区域的位置中执行刻蚀使得去除第二表面层(15)的部分以及下面的未被刻蚀掩模(14)覆盖的第一表面层(12)的部分,直到到达掩埋空腔,从而形成第一进出管道(18a)以及设置在第一进出管道与该掩埋空腔之间的过滤器元件(20)。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 设置 过滤器 掩埋 区域 微机 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造微机械结构(25)的方法,包括以下步骤: 在具有顶表面(12a)的半导体材料的本体(1,12)内形成掩埋空腔(10),所述掩埋空腔(10)通过所述本体的第一表面层(12)而与所述顶表面(12a)隔开;以及 形成第一进出管道(18a),所述第一进出管道被设计为能够在所述掩埋空腔(10)与所述本体外部的环境之间实现流体连通,其特征在于,包括以下步骤: 在第一进出区域(17a)处的所述顶表面(12a)上形成刻蚀掩膜(14); 在所述顶表面(12a)以及所述刻蚀掩膜(14)上形成第二表面层(15); 在所述第一进出区域(17a)处,执行刻蚀操作使得去除所述第二表面层(15)的部分以及下面的未被所述刻蚀掩膜(14)覆盖的所述第一表面层(12)的部分,直到到达所述掩埋空腔(10),所述刻蚀操作从而形成所述第一进出管道(18a)以及过滤器元件(20),所述过滤器元件设置在所述第一进出管道(18a)与所述掩埋空腔(10)之间并且由所述刻蚀掩膜(14)覆盖的所述第一表面层(12)的剩余部分形成。
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