[发明专利]基于太阳电池性能影响评估的发射层和缓冲层缺陷态密度检测方法有效
| 申请号： | 201110212576.0 | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102262698A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 沈文忠;华夏;李正平 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王毓理 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种太阳电池制造技术领域的基于太阳电池性能影响评估的发射层和缓冲层缺陷态密度检测方法，根据非晶硅内态密度分布的原始数据建立非晶硅层中的缺陷态分布模型用于计算陷入缺陷态中的电荷，得到修正泊松方程并进一步求出空间电荷区和内建电场的变化，实现基于缺陷态密度对HIT电池性能的影响评估，从而求得最优化的缺陷态密度，用于设置工艺生产中的钝化与清洗操作。与现有技术相比，本发明可靠性高且更加全面。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 太阳电池 性能 影响 评估 发射 缓冲 缺陷 密度 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种基于太阳电池性能影响评估的发射层和缓冲层缺陷态密度检测方法，其特征在于，根据非晶硅内态密度分布的原始数据建立非晶硅层中的缺陷态分布模型用于计算陷入缺陷态中的电荷，得到修正泊松方程并进一步求出空间电荷区和内建电场的变化，实现基于缺陷态密度对HIT电池性能的影响评估，从而求得最优化的缺陷态密度，用于设置工艺生产中的钝化与清洗操作。
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