[发明专利]试料检查装置以及试料检查方法无效
申请号: | 201110212728.7 | 申请日: | 2011-07-27 |
公开(公告)号: | CN102403247A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 西萩一夫;钩正章;上田英雄;中庸行 | 申请(专利权)人: | 株式会社堀场制作所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B15/02 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 日本京都市*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种试料检查装置以及试料检查方法,通过将多种计测方法加以组合,从而使得可检查的试料不受限制。试料检查装置具备入射部(11)、反射光受光部(12)以及分析部(13)(椭率计部)、X射线源(21)、荧光X射线检测部(22)以及分析部(23)(X射线测定部)、激光光源(31)、分束器(34)、拉曼散射光检测部(32)以及分析部(33)(拉曼散射光测定部)。能够使用与试料(6)相应的适当的方法来计测试料的厚度。而且,通过将椭圆偏光法以及荧光X射线分析加以组合,从而能够独立地计测试料(6)的厚度与折射率等的光学特性。而且,当试料(6)为多层试料时,能够利用适当的方法来检查各层。 | ||
搜索关键词: | 检查 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种试料检查装置,其特征在于包括:椭率计部,向试料入射直线偏光,接收来自试料的反射光,对入射光与反射光之间的偏光的变化进行测定;X射线测定部,向试料照射X射线,对来自试料的X射线进行测定;以及分析部,根据所述椭率计部或所述X射线测定部的测定结果,进行用于求出试料的厚度的分析。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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