[发明专利]图像传感器和图像传感器的使用方法、制造方法有效
| 申请号： | 201110213087.7 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102332458A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 巨晓华;饶金华;周雪梅;吴小利;张克云 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种图像传感器和图像传感器的使用方法、制造方法，所述图像传感器包括：多个像素单元，所述像素单元形成于第一隔离结构、第二隔离结构之间，所述像素单元包括：衬底；位于衬底上的第一型掺杂阱区，位于所述第一型掺杂阱区中的第二型轻掺杂区，位于所述第二型轻掺杂区中的第一型轻掺杂区、第一型重掺杂区、第二型重掺杂区，所述第一型轻掺杂区、第一型重掺杂区、第二型重掺杂区依次位于第一隔离结构和第二隔离结构之间。本发明可以改善图像滞后现象。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 使用方法 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，包括多个像素单元，所述像素单元形成于第一隔离结构、第二隔离结构之间，其特征在于，所述像素单元包括：衬底；位于衬底上的第一型掺杂阱区，位于所述第一型掺杂阱区中的第二型轻掺杂区，位于所述第二型轻掺杂区中的第一型轻掺杂区、第一型重掺杂区、第二型重掺杂区，所述第一型轻掺杂区、第一型重掺杂区、第二型重掺杂区依次位于第一隔离结构和第二隔离结构之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
