[发明专利]SRAM单元无效
| 申请号： | 201110213098.5 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102332299A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种SRAM单元，包括：写入单元，与写字线和写位线电连接，用于控制对该SRAM单元写入信息的状态；存储单元，与所述写入单元电连接，用于将所述写入信息反向，形成存储信息，提供存储节点将所述存储信息保存；读出单元，与读字线、读位线和所述存储单元电连接，用于读出所述存储信息。本发明实施例减小了SRAM单元占用的芯片的面积。 | ||
| 搜索关键词： | sram 单元 | ||
【主权项】：
一种SRAM单元，其特征在于，包括：写入单元，与写字线和写位线电连接，用于控制对该SRAM单元写入信息的状态；存储单元，与所述写入单元电连接，用于将所述写入信息反向，形成存储信息，提供存储节点将所述存储信息保存；读出单元，与读字线、读位线和所述存储单元电连接，用于读出所述存储信息。
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