[发明专利]台面工艺可控硅芯片结构和实施方法有效
| 申请号： | 201110213225.1 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102244078A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 王成森;黎重林;周榕榕;沈怡东 | 申请（专利权）人： | 启东市捷捷微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/082 | 分类号： | H01L27/082;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及台面工艺可控硅芯片结构，包括N+型阴极区、正面P型短基区、玻璃钝化膜、正面沟槽、SiO2保护膜、硅单晶片、门极铝电极和阴极铝电极，所述硅单晶片正面设有正面P型短基区，所述硅单晶片背面设有背面P型区，所述正面P型短基区表面设有SiO2保护膜、门极铝电极和阴极铝电极，所述正面P型短基区和硅单晶片上设有正面沟槽，所述正面沟槽位于门极铝电极和阴极铝电极两侧，所述阴极铝电极和正面P型短基区之间设有N+型阴极区，其特征在于：所述对通隔离扩散区底部设有背面应力平衡槽。本发明的优点是：结构和工艺成熟、制造过程简单、制造的芯片击穿电压特性好、合格率较高、且产品可靠性较高。 | ||
| 搜索关键词： | 台面 工艺 可控硅 芯片 结构 实施 方法 | ||
【主权项】：
台面工艺可控硅芯片结构，包括N+型阴极区、正面P型短基区、玻璃钝化膜、正面沟槽、SiO2保护膜、硅单晶片、门极铝电极和阴极铝电极，所述硅单晶片正面设有正面P型短基区，所述硅单晶片背面设有背面P型区，所述正面P型短基区表面设有SiO2保护膜、门极铝电极和阴极铝电极，所述正面P型短基区和硅单晶片上设有正面沟槽，所述正面沟槽位于门极铝电极和阴极铝电极两侧，所述阴极铝电极和正面P型短基区之间设有N+型阴极区，其特征在于：所述对通隔离扩散区底部设有背面应力平衡槽，所述背面应力平衡槽顶部和侧壁设有玻璃膜，所述背面P型区和玻璃钝化膜表面上设有多层金属电极。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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