[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明得到能改善耐湿性、抑制增益下降、降低外部电磁噪声并可有效切割的半导体装置的制造方法。在主体晶片（1）的主面（1a）形成电路图形（2）和金属膜（3）。形成从主体晶片（1）的主面（1b）贯通主体晶片（1）到达金属膜（3）的贯通孔（17）。在主体晶片（1）的主面（1b）一部分、贯通孔（17）内壁及贯通孔（17）内露出的金属膜（3）上形成金属膜（4）。在盖晶片（7）的主面（7a）形成凹部（8）。在盖晶片（7）的包含凹部（8）的主面（7a）形成金属膜（9）。使凹部（8）与电路图形（2）对置、金属膜（9）与金属膜（3）接触地将盖晶片（7）接合在主体晶片（1）。将接合的主体晶片（1）和盖晶片（7）沿贯通孔（17）切割。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在具有彼此对置的第一主面和第二主面的主体晶片的所述第一主面形成电路图形和第一金属膜的工序；形成从所述主体晶片的所述第二主面贯通所述主体晶片而到达所述第一金属膜的贯通孔的工序；在所述主体晶片的所述第二主面的一部分、所述贯通孔的内壁、以及所述贯通孔内所露出的所述第一金属膜上，形成第二金属膜的工序；在具有彼此对置的第一主面和第二主面的盖晶片的所述第一主面形成凹部的工序；在所述盖晶片的包含所述凹部内的所述第一主面形成第三金属膜的工序；使所述凹部与所述电路图形对置，使所述第三金属膜与所述第一金属膜接触，将所述盖晶片接合在所述主体晶片上的工序；以及将接合后的所述主体晶片和所述盖晶片沿着所述贯通孔进行切割的工序。