[发明专利]一种单芯片白光LED的制备方法有效
| 申请号： | 201110213270.7 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102244167A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 龙浩;于彤军;杨志坚;张国义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单芯片白光LED的方法，该方法包括：在衬底上生长GaN模板层，所述GaN模板层包括非掺杂GaN外延层和n型掺杂GaN外延层，铺设碳纳米管，制备InGaN量子点结构，并生长量子垒层；随后利用MOCVD或MBE手段生长p型GaN导电层；光刻、激光划片、ICP、沉积电极等常规LED封装手段，制得单芯片白光LED。与现有技术相比，本发明通过调控碳纳米管阵列的图形，让每一个量子点的发光波长呈随机分布，一定区域实现波长组合的白光出射。本发明制备方便，工艺条件相对简单且易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 白光 led 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备单芯片白光LED的方法，其步骤包括：(1)在衬底上生长GaN模板层，所述GaN模板层包括非掺杂GaN外延层和n型掺杂GaN外延层，总厚度在100纳米‑10毫米之间；(2)在上述GaN模板层上，根据白光LED光谱以及GaN模板晶向铺设碳纳米管阵列；(3)在碳纳米管阵列上再采用MOCVD、MBE等生长手段生长InGaN外延层，形成与白光光谱对应的InGaN量子点结构；(4)采用MBE、MOCVD等生长手段，生长GaN或AlGaN外延层作为量子垒层，量子垒层的厚度在5‑40纳米；(5)利用MOCVD或MBE手段生长p型GaN导电层；(6)采用LED封装手段，制得单芯片白光LED。
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