[发明专利]异质接面太阳能电池

摘要

一种异质接面太阳能电池，其在硅晶基板上镀制一层本质非晶硅薄膜，然后置于扩散炉内形成P-N接面，以制作具有异质接面的太阳能电池，其至少包括含有电性掺杂的硅晶基板、本质非晶硅薄膜、透明导电层、前电极及背电极所构成；于另一较佳实施例，系先在硅晶基板上以化学溶液生成法生长一层二氧化硅薄膜，然后镀制一层本质非晶硅薄膜，其后置于扩散炉内形成P-N接面，以制作具有异质接面的太阳能电池，其至少包括含有电性掺杂的硅晶基板、二氧化硅薄膜、本质非晶硅薄膜、透明导电层、前电极及背电极所构成。本发明不仅在制程设备上较为经济，且兼容于目前批量生产化制程而易于批量生产。

主权项

一种异质接面太阳能电池，其特征在于至少包括：一含有电性掺杂的硅晶基板，于其照光侧及背光侧表面分别具有一硅晶基板表面区域及一背表面场区域，且该硅晶基板原始掺杂浓度小于10¹⁹cm^‑3；一本质非晶硅薄膜，覆盖在该硅晶基板照光侧表面的硅晶基板表面区域上，其电子能隙大于该硅晶基板电子能隙，并与该硅晶基板表面区域构成一扩散区域；且该本质非晶硅薄膜经电性掺杂扩散后形成含有电性掺杂的非晶硅薄膜，且该非晶硅薄膜与该硅晶基板表面区域之间形成异质接面，而该硅晶基板的照光侧与该硅晶基板表面区域之间形成同质接面；一透明导电层，覆盖在该硅晶基板照光侧表面的非晶硅薄膜上；一前电极，具有线条形态，覆盖在该透明导电层上；一背电极，覆盖在该硅晶基板背光侧表面的背表面场区域上；以及上述该非晶硅薄膜与该硅晶基板表面区域之间的异质接面，以及该硅晶基板照光侧与该硅晶基板表面区域之间的同质接面由一次电性掺杂扩散形成。