[发明专利]非晶硅太阳能电池生产中沉积光伏吸收层的工艺

摘要

非晶硅太阳能电池生产中沉积光伏吸收层的工艺，包括借助等离子增强化学气相沉积室在玻璃衬底上依次沉积P层、i层和N层，关键是：所述的i层分两层制备，以硅烷和氢气作为反应气体，掺杂气体为TMB和磷烷，上述反应气体、TMB、及磷烷的体积百分比分别为：97.2～97.8％、1.8～2.1％、0.1～1％，步骤如下：设定沉积室中反应气体H2/SiH4的稀释比为(0.8～1.1)∶1，在P层上沉积厚度为120～150nm的第一i层；改变反应气体H2/SiH4的稀释比为(8～12)∶1，再在第一i层上沉积厚度为120～150nm的第二i层。本发明改善了非晶硅太阳能电池的光致衰退效应。

主权项

非晶硅太阳能电池生产中沉积光伏吸收层的工艺，包括借助等离子增强化学气相沉积室在玻璃衬底(1)上依次沉积P层(2)、i层和N层(5)，其特征在于：所述的i层分两层制备，以硅烷和氢气作为反应气体，掺杂气体为TMB和磷烷，上述反应气体、TMB、及磷烷的体积百分比分别为：反应气体 97.2～97.8％TMB      1.8～2.1％磷烷     0.1～1％所述的工艺步骤中包括：A、设定沉积室中反应气体H2/SiH4的稀释比为(0.8～1.1)∶1，在P层(2)上沉积厚度为120～150nm的第一i层(3)；B、改变反应气体H2/SiH4的稀释比为(8～12)∶1，再在第一i层(3)上沉积厚度为120～150nm的第二i层(4)。